Функциональные и приемочные испытания микросхем памяти DDR4 и LPDDR4
Разработчики с воодушевлением восприняли появление технологий DDR4 и LPDDR4, которые позволят им повысить скорость передачи данных в системах до уровней свыше 2400 Мбит/с и создавать системы с рекордными скоростями и минимальным энергопотреблением.
Помимо улучшения базовых показателей, в DDR4 и LPDDR4 были добавлены новые функции и архитектурные изменения, предлагающие множество потенциальных преимуществ, особенно в отношении снижения энергопотребления:
– до 30–40 % экономии энергии по сравнению с DDR3 и LPDDR3;
– повышение эффективности и надежности;
– повышенная плотность;
– более надежный контроль ошибок.
Такие усовершенствованные конструкции позволяют использовать в устройствах (оборудовании корпоративного класса, микросерверах и планшетах) микросхемы с меньшей занимаемой площадью, которые потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла. Но у этих преимуществ есть своя цена. Новые возможности также требуют новых, более интеллектуальных контроллеров памяти, новых материнских плат, новых микросхем DRAM, новых корпусов и нового программного обеспечения.
Разработчики сталкиваются со значительными сложностями при работе с сокращающимися границами временной синхронизации на повышенных скоростях передачи данных. Ключевой задачей, стоящей перед разработчиками систем памяти, является необходимость максимального улучшения характеристик за счет применения микросхем памяти DDR четвертого поколения.
