Полупроводниковые фильтры не являются тонкопленочными, они представляют собой фильтры поглощения, основанные на электронных зонах их структуры.

В собственном полупроводнике зона проводимости пуста, а валентная зона полностью заполнена. Только небольшой зазор разделяет две зоны. Если падающий фотон имеет энергию большую, чем этот промежуток, он способен поднять электрон из валентной зоны в зону проводимости и, таким образом, электрон поглощается. Если фотон имеет энергию меньше энергии запрещенной зоны, и так как допустимые уровни в валентной зоне полностью заполнены, электроны не могут поглощать его, и фотон будет проходить без поглощения. Это резкое изменение от поглощения к пропусканию происходит на длине волны, соответствующей энергетической щели, известен как край собственного поглощения.

Для использования полупроводника в качестве оптического фильтра, должны быть решены две проблемы. Во-первых, всегда есть некоторое количество остаточного поглощения свободных носителей заряда в области пропускания, а во-вторых, высокий показатель преломления полупроводников делает потери на отражение на поверхности довольно большими. Первую трудность можно преодолеть, используя тонкую пластину очень чистого материала, вторую - осаждением просветляющего покрытия на поверхности.

Полупроводниковые фильтры имеют характеристики длинноволновых фильтров и состоят из оптически полированных дисков полупроводника с покрытием. Такие фильтры часто устанавливающихся в держатели для защиты. Из-за очень высокого поглощения в запрещенной зоне, данные фильтры наиболее применимы в ИК-решетках монохроматоров для подавления спектров более высокого порядка, которые создают серьезные затруднения при использовании высокотемпературных источников.

Стандартные параметры