Разработана модель формирования нитевидных нанокристаллов
В результате работы была предложена модель роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, которая впервые учитывает образование так называемых «пьедесталов» – усеченных пирамид из полупроводникового материала. Эти пьедесталы образуются под каплей-катализатором на начальной стадии формирования нанокристалла.
«Модели начальной стадии обычно предполагают, что рост нанокристалла инициируется отложением кристаллических слоев под каплей-катализатором, лежащей на плоской поверхности кристалла-подложки. Однако эксперимент показывает, что в случае полупроводниковых соединений III-V начальное состояние системы — это не просто капля на поверхности, а некая пирамидка или пьедестал, на котором находится капля», — говорит профессор кафедры физики полупроводников ФФ ТГУ Юрий Эрвье.
Поступление атомов III группы на поверхность при росте может привести к двум вариантам: либо к увеличению размера пьедестала с сохранением его формы, либо к образованию нитевидного нанокристалла постоянной толщины на вершине пьедестала. Модель, разработанная в лаборатории, позволяет описать переход от роста пьедестала к росту нитевидного нанокристалла и найти оптимальные условия для такого перехода.
Исследование опубликовано в журнале Journal of Crystal Growth (Q2).
Источник: ТГУ