Структуры с нанопроволоками из нитрида галлия помогут создать высокомощную и гибкую электронику
«При росте нанопроволок из нитрида галлия на традиционных подложках формируются кристаллы с обеими полярностями. Это повышает сопротивление и ухудшает электрические свойства проволок. Мы синтезировали материал с фиксированной полярностью. Его использование существенно повысит мощность приборов на основе GaN нанопроволок» — рассказал заведующий лабораторией возобновляемых источников энергии Алфёровского университета Иван Мухин.
В процессе работы физики установили, что ключевое влияние на параметры системы оказывает ориентация диполей галлий-азот. Так как традиционный метод расчета очень требователен к вычислительным ресурсам, исследователям пришлось уменьшить систему до минимально возможной конфигурации.
Исследование можно прочесть в журнале “Journal of Materials Chemistry C”.
Источник: АУ
