Группа компаний поставила индий (In), галлий (Ga), алюминий (Al), мышьяк (As) и кремниевые пластины для исследовательского проекта в Академическом университете им. Ж. И. Алферова(Санкт-Петербург). Материалы были использованы для создания полупроводниковых наноструктур, которые станут основой высокочувствительных адсорбционных газовых сенсоров.

В рамках проекта учёные вырастили ансамбли нанокристаллов на основе твёрдого раствора InAsBi методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Для обеспечения качества и воспроизводимости процессов применялись высокочистые исходные материалы производства Furukawa Denshi Co., Ltd., а также пластины монокристаллического кремния.

Полученные наноструктуры обладают уникальной морфологией, которая формирует сильно развитую поверхность ‒ сложную древовидную структуру. Это свойство открывает широкие возможности для функционального использования и делает материал идеальным для применения в качестве активного элемента в газовых сенсорах. Такие датчики способны быстро и точно детектировать различные вещества в воздухе.

Благодаря сотрудничеству с ГК «Научное оборудование» создана научная база для разработки решений в области экологического мониторинга, промышленной безопасности и медицинской диагностики.

Изображение, полученное методом растровой электронной микроскопии, демонстрирует ансамбль полупроводниковых наноструктур на основе твёрдого раствора InAsBi.