Прецизионный источник-измеритель TH1991B — высокоточный четырехквадрантный Source Measure Unit (SMU), объединяющий в одном приборе функции программируемого источника напряжения, источника тока, высокоточного вольтметра и амперметра. Прибор предназначен для генерации и одновременного измерения электрических параметров с высокой точностью при разработке, исследовании и испытаниях полупроводниковых приборов, электронных компонентов, материалов и различных электронных устройств.

Модель TH1991B отличается расширенным диапазоном выходного напряжения — до ±1100 В, что позволяет проводить испытания высоковольтных компонентов и материалов при сохранении высокой точности измерений. Прибор обеспечивает выходной постоянный ток до ±105 мА, минимальное разрешение измерения 10 фА по току и 100 нВ по напряжению. Высокоскоростная система сбора данных с частотой до 1 000 000 точек/с позволяет исследовать как статические, так и динамические характеристики электронных компонентов.

TH1991B оснащён 7-дюймовым емкостным сенсорным дисплеем с графическим интерфейсом на базе операционной системы Linux. Прибор поддерживает специализированные режимы измерений для диодов, биполярных и полевых транзисторов, MOSFET, IGBT, силовых полупроводников, а также автоматическое построение вольт-амперных характеристик (ВАХ), генерацию произвольных сигналов и выполнение сложных испытательных последовательностей по заданному сценарию.

Область применения

• Испытания высоковольтных полупроводниковых приборов и силовой электроники.
• Измерение параметров диодов, стабилитронов, варисторов, термисторов и других двухвыводных компонентов.
• Исследование биполярных и полевых транзисторов (BJT, JFET, MOSFET), IGBT и тиристоров.
• Тестирование аналоговых, цифровых и специализированных интегральных микросхем (ASIC, SoC, драйверов, сенсоров).
• Измерение характеристик светодиодов, лазерных диодов, фотодиодов и других оптоэлектронных компонентов.
• Исследование солнечных элементов, аккумуляторов, суперконденсаторов и устройств накопления энергии.
• Испытания новых материалов: графена, наноматериалов, органической электроники и полупроводниковых структур.
• Научные исследования, НИОКР, производственный контроль качества и автоматизированные испытательные комплексы.

Функциональные возможности

• Четырехквадрантный источник-измеритель (SMU) с одновременной генерацией и измерением напряжения и тока.
• Максимальное выходное напряжение до ±1100 В.
• Выходной постоянный ток до ±105 мА.
• Минимальное разрешение измерения: 10 фА по току и 100 нВ по напряжению.
• Высокоскоростная дискретизация данных до 1 000 000 точек/с.
• Функция построения вольт-амперных характеристик (ВАХ) без использования внешнего программного обеспечения.
• Генерация сигналов произвольной формы и программируемых испытательных последовательностей.
• Сканирование по списку (List Sweep) с минимальным интервалом до 1 мкс.
• Специализированные режимы измерений для диодов, BJT, MOSFET, IGBT и других полупроводниковых приборов.
• 7-дюймовый емкостный сенсорный дисплей с разрешением 800×480.
• Операционная система Linux с современным графическим интерфейсом.
• Высокая стабильность выходных параметров и низкий уровень собственных шумов.
• Поддержка дистанционного управления и интеграции в автоматизированные измерительные системы.

Преимущества TH1991B

• Расширенный диапазон выходного напряжения до ±1100 В для испытаний высоковольтных устройств.
• Высокая точность генерации и измерения электрических параметров.
• Совмещение функций источника питания и прецизионного измерителя в одном приборе.
• Высокая скорость измерений и автоматическое построение ВАХ.
• Интуитивно понятный сенсорный интерфейс и широкие возможности программирования испытаний.
• Подходит для лабораторных исследований, производственного контроля и автоматизированных испытательных комплексов.

TH1991B является современным решением для высокоточных электрических измерений и может использоваться в качестве функциональной альтернативы прецизионным Source Measure Unit (SMU) ведущих мировых производителей, включая серии Keithley 24xx/26xxB, Keysight B29xx и R&S NGU, обеспечивая широкие возможности исследования и тестирования современных электронных компонентов и силовых полупроводников.