В корзине пусто

Тел./факс:

Новости

19.01.2018 Программируемые источники питания переменного тока

Ф

 

События

17.01.2018 Основы разработки и тестирования преобразователей электрической энергии, Новосибирск

Группа компаний "Научное оборудование" и компания Keysight Technologies (ранее Группа электронных измерений Agilent) приглашают Вас 6 февраля 2018 г. на семинар «Основы разработки и тестирования преобразователей электрической энергии» в рамках серии семинаров HOTSPOTS.

Б Ф Х Г

 

Подписка

Подпишитесь на новостную рассылку, чтобы быть всегда в курсе последних событий:

 

Детектор XFlash© является энергодисперсионным детектором рентгеновского излучения, работающим по принципу кремниевой дрейфовой камеры. Основным регистрирующим элементом детектора данного типа является кремниевый чип особой конструкции, не содержащий Li. Внутри чипа создаётся воронкообразный потенциал электрического поля, и эмиссионные фотоэлектроны по "воронке" дрейфуют к аноду.


Добавить в мои товары

Получив ваш запрос, наш менеджер свяжется с вами для уточнения деталей. Вы также можете связаться с менеджером по телефону: +7 (383) 383-24-06

 

Компания Bruker специализируется на разработке спектрального аналитического оборудования для ИК-спектроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновское аналитическое оборудование, масс-спектрометрическое оборудование и приборы ЯМР.

Детектор XFlash© является энергодисперсионным детектором рентгеновского излучения, работающим по принципу кремниевой дрейфовой камеры (SDD). Основным регистрирующим элементом детектора данного типа является кремниевый чип особой конструкции, не содержащий Li ("дрейф" в данном контексте относится к подвижности носителей заряда). Внутри чипа создаётся воронкообразный потенциал электрического поля, и эмиссионные фотоэлектроны по "воронке" дрейфуют к аноду.

Особая конструкция чипа со встроенным полевым транзистором (FET) и малые размеры анода впервые позволяет достигать энергетического разрешения 123 эВ на линии MnKα, что превосходит лучшие энергодисперсионные детекторы рентгеновского излучения (рис.2). Низкая емкость чипа обуславливает очень короткое время формирования импульса, позволяющее детектору работать с высокой скоростью счета (до 750 000 имп/с).

Детектор XFlash
Поперечное сечение чипа кремниевого дрейфового детектора (SDD)

Методика обработки сигнала была специально разработана и оптимизирована для детекторов SDD. Благодаря гибридному аналого-цифровому процессору SDD кремниевый дрейфовый детектор XFlash© стабильно поддерживает высокое разрешение в 123 эВ даже при скорости счета в 100 000 имп/с на линии MnKα (рис.3).

Кристалл детектора умеренно охлаждается до температуры -25оС с помощью термоэлектрических охладителей, не создающих вибраций. Все вырабатываемое тепло рассеивается посредством пассивной конвекции. Дополнительное охлаждение не требуется.

Детектор XFlash
Сравнение детектора XFlash© с другими SDD детекторами. Энергетическое разрешение в зависимости от скорости счета импульсов на линии Mn K

  • Не имеющее себе равных среди других энергодисперсионных детекторов энергетическое разрешение 123 эВ при скорости счета 100 000 имп/с на линии MnKα.
  • Уникальная возможность регистрации излучения легких элементов от Be до Na при использовании полимерного входного окна.
  • Максимальная скорость счета до 750 000 имп/с.
  • Быстродействие в 10 раз выше по сравнению с Si(Li) детекторами.
  • Размер чипа – 10, 30 или 40 мм2.

   xflashsdd5010.pdf (0.00 Мб.)