В корзине пусто

Тел./факс:

Новости

19.06.2018 В Уральском федеральном государственном университете открылась лаборатория Современных телекоммуникационных технологий на базе решений Keysight Technologies

25 мая 2018 Уральский федеральный государственный университет и компания Keysight Technologies объявили об открытии лаборатории Современных телекоммуникационных технологий на базе Института радиоэлектроники и информационных технологий УрФУ.

Ф

 

События

08.05.2018 Leybold. Вакуумное оборудование для лабораторного и промышленного применения

Группа компаний "Научное оборудование" и ООО "Лейфикон Вакуум Сервис", официальный представитель компании Leybold в России, приглашают Вас принять участие в серии семинаров "Leybold. Вакуумное оборудование для лабораторного и промышленного применения", которые пройдут в Новосибирске и Зеленогорске с 14 по 18 мая 2018 года.

Ф Г

 

Подписка

Подпишитесь на новостную рассылку, чтобы быть всегда в курсе последних событий:

 

Детектор XFlash© является энергодисперсионным детектором рентгеновского излучения, работающим по принципу кремниевой дрейфовой камеры. Основным регистрирующим элементом детектора данного типа является кремниевый чип особой конструкции, не содержащий Li. Внутри чипа создаётся воронкообразный потенциал электрического поля, и эмиссионные фотоэлектроны по "воронке" дрейфуют к аноду.


Добавить в мои товары

Получив ваш запрос, наш менеджер свяжется с вами для уточнения деталей. Вы также можете связаться с менеджером по телефону: +7 (383) 383-24-06

 

Компания Bruker специализируется на разработке спектрального аналитического оборудования для ИК-спектроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновское аналитическое оборудование, масс-спектрометрическое оборудование и приборы ЯМР.

Детектор XFlash© является энергодисперсионным детектором рентгеновского излучения, работающим по принципу кремниевой дрейфовой камеры (SDD). Основным регистрирующим элементом детектора данного типа является кремниевый чип особой конструкции, не содержащий Li ("дрейф" в данном контексте относится к подвижности носителей заряда). Внутри чипа создаётся воронкообразный потенциал электрического поля, и эмиссионные фотоэлектроны по "воронке" дрейфуют к аноду.

Особая конструкция чипа со встроенным полевым транзистором (FET) и малые размеры анода впервые позволяет достигать энергетического разрешения 123 эВ на линии MnKα, что превосходит лучшие энергодисперсионные детекторы рентгеновского излучения (рис.2). Низкая емкость чипа обуславливает очень короткое время формирования импульса, позволяющее детектору работать с высокой скоростью счета (до 750 000 имп/с).

Детектор XFlash
Поперечное сечение чипа кремниевого дрейфового детектора (SDD)

Методика обработки сигнала была специально разработана и оптимизирована для детекторов SDD. Благодаря гибридному аналого-цифровому процессору SDD кремниевый дрейфовый детектор XFlash© стабильно поддерживает высокое разрешение в 123 эВ даже при скорости счета в 100 000 имп/с на линии MnKα (рис.3).

Кристалл детектора умеренно охлаждается до температуры -25оС с помощью термоэлектрических охладителей, не создающих вибраций. Все вырабатываемое тепло рассеивается посредством пассивной конвекции. Дополнительное охлаждение не требуется.

Детектор XFlash
Сравнение детектора XFlash© с другими SDD детекторами. Энергетическое разрешение в зависимости от скорости счета импульсов на линии Mn K

  • Не имеющее себе равных среди других энергодисперсионных детекторов энергетическое разрешение 123 эВ при скорости счета 100 000 имп/с на линии MnKα.
  • Уникальная возможность регистрации излучения легких элементов от Be до Na при использовании полимерного входного окна.
  • Максимальная скорость счета до 750 000 имп/с.
  • Быстродействие в 10 раз выше по сравнению с Si(Li) детекторами.
  • Размер чипа – 10, 30 или 40 мм2.

   xflashsdd5010.pdf (0.00 Мб.)