В корзине пусто

Тел./факс:

Новости

15.02.2018 Генераторы произвольной формы АКИП-3422

Ф

 

События

17.01.2018 Основы разработки и тестирования преобразователей электрической энергии, Новосибирск

Группа компаний "Научное оборудование" и компания Keysight Technologies (ранее Группа электронных измерений Agilent) приглашают Вас 6 февраля 2018 г. на семинар «Основы разработки и тестирования преобразователей электрической энергии» в рамках серии семинаров HOTSPOTS.

Б Ф Х Г

 

Подписка

Подпишитесь на новостную рассылку, чтобы быть всегда в курсе последних событий:

 

Ионный микроскоп FEI Vion Plasma FIB

Vion Plasma FIB является инструментом, способным проводить точную резку и травление с высокой скоростью. Он обладает возможностью избирательного травления заданных областей образца и химического осаждения материала. Используемый в Vion Plasma FIB источник плазмы обеспечивает 20 – 60 раз более высокие токи пучка, чем традиционные ионные микроскопы с использованием ионов галлия, сохраняя при этом все возможности использования низкого тока пучка.


Добавить в мои товары

Получив ваш запрос, наш менеджер свяжется с вами для уточнения деталей. Вы также можете связаться с менеджером по телефону: +7 (383) 383-24-06

 

FEI является ведущей компанией, разрабатывающей научное оборудование, электронные и ионно-лучевые микроскопы и другие инструменты для наномасштабных приложений во многих отраслях промышленности: производственные и научные исследования материалов, науки о жизни, полупроводники, хранение данных, природные ресурсы и многое другое.

Vion Plasma FIB является инструментом, способным проводить точную резку и травление с высокой скоростью. Он обладает возможностью избирательного травления заданных областей образца и химического осаждения материала. Используемый в Vion Plasma FIB источник плазмы обеспечивает 20 – 60 раз более высокие токи пучка, чем традиционные ионные микроскопы с использованием ионов галлия, сохраняя при этом все возможности использования низкого тока пучка. Кроме того, в камере могут быть введены различные газы, оказывающие влияние на взаимодействие пучка с поверхностью образца и вызывающие осаждение материала (изолятора или проводника)..

Области применения: материаловедение, микроэлектроника, нанотехнологии.

Основные преимущества:

  • Повышение производительности по сравнению с ионными микроскопами с использованием ионов галлия: увеличение скорости травления более чем в 20 раз

  • Быстрое и точное приготовление срезов позволяет исследовать скрытые дефекты образца

  • Широкий диапазон токов пучка для травления и получения изображений

  • Использование возможностей химического осаждения для защиты характерных особенностей поверхности

Технические характеристики:

Характеристика

Значение

Ионная оптика

Ионная колонна Sidewinder.
Источник ионов на базе Xe+

Разрешение

Менее 25 нм

Ускоряющее напряжение

От 2 кВ до 30 кВ

Ток зонда

от 1,5 пА до 1,3 мкА

Столик:

- Тип

Эвцентрический столик, моторизованный по 5 осям

- Ход по осям X и Y

150 х 150 мм

- Поворот

n x 360°

- Наклон

-10° …+60°